Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA (W949D2DBJX5I TR)
Part Number: W949D2DBJX5I TR
Documents / Media: datasheets W949D2DBJX5I TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
- Скорость: 200MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 5ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 90-TFBGA
- Исполнение корпуса: 90-VFBGA (8x13)
Цена по запросу